收藏本站
Si7457DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
35
30
V GS = 10 V thru 6 V
20
25
20
15
10
5V
16
12
8
T A = 125 °C
5
4V
4
25 °C
- 55 °C
0
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
1
2
3
4
5
0.040
0.039
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
7000
6000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.038
V GS = 6 V
5000
0.037
4000
0.036
0.035
V GS = 10 V
3000
0.034
0.033
0.032
2000
1000
0
C oss
C rss
0
5
10
15
20
25
30
35
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.3
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
I D = 7.9 A
V DS = 50 V
2.0
1.7
I D = 7.9 A
V GS = 10 V, 6 V
6
V DS = 80 V
1.4
4
1.1
2
0
0.8
0.5
0
20
40
60
80
100
120
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73431
S09-0273-Rev. C, 16-Feb-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7460DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
SI7461DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
SI7462DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
SI7465DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
SI7530DP-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC
SI7620DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
SI7625DN-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SI7629DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
相关代理商/技术参数
SI7458DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7459DP-T1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:P-Ch PowerPAK SO-8 30V 6.8mohm@10V
SI7459DPT1E3 制造商:VISHAY 功能描述:Pb Free
SI7459DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7459DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7460DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7460DP_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7460DP-T1 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET